但是，半导体业的前进之路到了28nm之后，就发生了变化。当工艺制程进入22nm/20nm时，成本相比28nm不仅没有下降，反而升高。原因是当工艺尺寸缩小到22nm/20nm时，传统的193nm光刻，包括使用浸液式、OPC等技术已经无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术(Doublepatterning，缩写为DP)。从原理上讲，DP技术易于理解，甚至可以曝光3次、4次。但是这必将带来两大问题：一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。所以业界心知肚明，在下一代光刻技术EUV尚未成熟之前，采用DP技术是不得已而为之的。

 

　　所以全球半导体业界在向14nm制程迈进时，一方面采用DP技术，另一方面为了减少漏电流与功耗，采用新的FinFET结构(注：英特尔在22nm制程时首先采用FinFET工艺)。

 

　　至于未来向10nm挺进时，业界一直有争论，一种方案是采用FinFET结构，但是工艺制程上采用DP技术已经不行了，可能必须采用3次或者4次图形曝光技术，另一种方案是等待EUV设备的降临。尽管EUV光刻工艺，从理论上由于曝光波长才13.4nm，在10nm时可以不必采用DP，从而节省成本(注：到了7nm时，即使是EUV也需要采用DP技术)。但是采用EUV相应也会带来产业链的转变，同样非同小可。

 

　　之前的困局是由于光源的功率不足等原因，导致EUV设备一再被推迟，让业界几乎丧失信心，都认为在10nm时插入EUV光刻工艺毫无希望，可能要等到7nm。

 

　　所以业界把进入10nm工艺制程看做是“站在十字路口”，尽管从技术层面上采用多次DP也能通过，然而从经济角度上讲不一定谁都能够接受。

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