【日经BP社报道】TDK试制出了作为新一代非易失性存储器备受期待的自旋注入式磁化反转型MRAM（STT-MRAM），并在“CEATEC JAPAN 2014”（2014年10月7～11日，幕张Messe会展中心）上展出。设想作为存储级内存（SCM：storage class memory）使用，弥补SRAM及DRAM与存储器（硬盘和SSD）之间的动作速度差距。目标是3～5年后实现产品化，TDK表示“正在寻找半导体企业合作伙伴”。

    试制芯片利用90nm CMOS工艺制造，容量为8MB。每个记忆元件（MTJ：磁性隧道结）的擦写电流为240μA，擦写时间为400ns。可擦写次数为106次，数据保存时间为2000小时。

    试制芯片采用了适合增大容量的垂直磁化方式的MTJ。与TDK拥有丰富业绩的硬盘磁头用MTJ“有相同的部分，但膜的层叠构造等有很大差异”，要想作为SCM实用化，“需要微细化至30～20nm”（TDK）。为此，TDK正在寻求与拥有尖端工艺量产线的半导体厂商合作。

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