中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为20.65万部。业界普遍认为，受蜂窝网络部署的驱动，无线基础设施将有望在以下几个方面出现重大变革，包括高集成度、更高的灵活性、更强的可扩展性、更高的性能和更高效率/更低功耗，从而帮助运营商提高网络容量和覆盖率、降低运营成本和设备成本所面临的挑战。

    作为重点关注TD-LTE无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品，恩智浦日前推出了全新Gen8+LDMOS RF功率晶体管。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件，据称也是全球最小最经济的解决方案，用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波，并提供覆盖全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。

    而在恩智浦半导体(NXP)大中华区无线通讯及射频业务总经理陈平路看来，随着LTE技术的不断演进，未来，满足宽带和多种模式兼容，高密度(低CDS)视频带宽和更高性能的RF功率器件将成为必须。同时，为进一步降低成本，塑料包装和高密度、小型封装RF功率器件产品也会有更多市场需求。

    Gen8+产品组合的一项突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic, ACP)封装。相比陶瓷封装，ACP技术更加经济、灵活，还允许使用改进型无源器件，通过降低功耗并增加增益和效率来提升性能。此外，Gen8+还加入了大量其他封装选项，包括QFN、OMP和陶瓷封装。

    Gen8+产品组合最初设计用于频率范围在2300-2700 MHz之间的基站应用。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展，Gen8+增加了各个波段功耗水平的范围，从5瓦到240瓦不等。“基站绿色节能、小型化的需求，转化到功率放大器上，就是如何实现更高的效率和集成度。”陈平路说。

    他同时强调称，NXP在PA领域的优势首先得益于其第8代LDMOS技术，“新技术可以提高Doherty放大器的功率、效率，降低内存占用，获得更好的预失真性能，甚至可以将Doherty完全集成到单个功率晶体管封装结构中。”这意味着，工程师无需再对这类特别复杂电路设计担心，所有分离器、延迟线路和混合器已经包含在设计之中，整个设计过程可以简化成AB类电路设计。

    恩智浦半导体(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV

    针对目前运营商对于基站快速交付的要求，陈平路称NXP已经在三方面做好了应对的准备。首先，推出集成Doherty和多种Doherty参考电路，类似交钥匙工程，减小设计的复杂程度，令客户加快产品上市的时间;其次，倡导“随时更替”的设计概念，即未来LDMOS能够沿用目前客户的电路和结构设计，同时带来性能方面的提高，令客户的设计周期将大大缩短;最后，由于RF功率器件的重要性和生产的复杂性，供货量有限是国内外市场，尤其是多种3G/4G制式快速建网的一个瓶颈，因此必须迅速扩大LDMOS的产能，以满足市场需求。

    ABI提供的数据显示，2012年恩智浦在RF 功率晶体管器件市场排名第二，市场份额约为22%。陈平路表示，公司将继续优化现有LDMOS的工作带宽设计，并开发新的半导体技术比如GaN，这对于多制式无线接入、软件定义无线电和等效的网络平滑演进尤为重要。同时，不断提高LDMOS的功率容量和视频带宽等指标，这对于支持以HSPA/LTE为代表的多载波以及对应的数据流更为关键。